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英特尔研究显示复合提升芯片性能

2019-09-13     来源:河北日报数字报         内容标签:英特尔,研究,显示,复合,提升,芯片,性能,为了,

导读:为了在未来十年内提升芯片性能,英特尔公司正在尝试新新优彩票官方网站材料。位于加利福尼亚州圣克拉拉的芯片制造商的研究人员在更换硅片方面取得了长足进展。几十年来一直是芯片制造的

为了在未来十年内提升芯片性能,英特尔公司正在尝试新材料。位于加利福尼亚州圣克拉拉的芯片制造商的研究人员在更换硅片方面取得了长足进展。几十年来一直是芯片制造的支柱-使用由铟和锑元素混合而成的化合物半导体。

英特尔一直与英国公司QinetiqLtd.合作,在晶体管内添加新材料正在设计在2015年或之后推出。

英特尔表示,在英特尔组件研究实验室内部开展的工作可能有助于英特尔在未来十年的后半段推出性能更高,功效更高的芯片。周三在华盛顿举行的IEDM(国际电子设备会议)上发表的一篇论文中提出。

“它是一项重大改进,我们认为它可以用于逻辑[或奔腾等处理器]并提供一些实质性的对最终用户的改进,“技术人员RobWilloner说道位于俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔技术与制造集团的nology分析师。“想象一下,对于笔记本电池或数据中心来说,功耗降低10倍。”

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每年生产更高性能的芯片是英特尔以及其他芯片制造商的生命线。但制造商表示,这个过程变得越来越困难。随着MooresLaw的性能提升,功耗越来越成为一个问题-英特尔创始人认为芯片制造商每两年可以将其产品中的晶体管数量增加一倍,从而提升性能。晶体管是用于在芯片内部传输电信号的微小开/关开关。

但仅仅使晶体管更小,这一措施也往往使它们更快,这是不够的。Willoner表示,这种扩展带来的性能提升并不是很大,而功耗已成为一个问题。

因此,英特尔与其竞争对手一样,一直在关注新材料,新制造技术和新晶体管设计在控制功耗的同时帮助它继续提升性能。

英特尔已经进行了多次生产变更,包括几年前从铝线到铜线连接其晶体管。该公司还表示,它还考虑在未来几年内引入所谓的三栅极晶体管,这种晶体管比标准晶体管更好地控制其开/关状态,因此不会泄漏太多电量。

<转向铟和锑化合物半导体“是我们在继续扩展的同时引入新材料的另一个例子,”Willoner说。

英特尔研究人员对该化合物的最新实验,Willoner表示,铟锑化合物(IndiumAntimonide)已经证明,它有可能使未来的晶体管性能提高50%,同时将功耗降低10倍,与目前最先进的晶体管相比。/p>英特尔看到的性能提升来自于用通道内的铟锑化物取代硅,这是晶体管的一部分,用于将来自晶体管一侧的电子信号中的电子漏斗,称为光源,至另一个叫做排水管。该化合物基本上润滑了电子的滑动,使它们更自由,更快速地移动。Willoner表示,加速它们可以提高性能,同时释放运动意味着浪费更少的能量。

但是,确切地说,甚至英特尔需要铟锑化合物的时间还有待观察。该芯片制造商一直致力于众多研究项目,努力在提升性能方面提供多种选择。例如,它还在研究碳纳米管。

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